新竹2025年10月2日 /美通社/ -- 全球硅智財（IP）領先供應商円星科技（M31 Technology Corporation，下稱 M31）今日于臺積公司北美開放創新平臺®（OIP）生態系論壇宣布，延續先前在臺積電N12e?制程上成功驗證的低功耗IP解決方案，M31進一步擴展至N6e?平臺，推出全新超低漏電（ULL）、極低漏電（ELL）以及低電壓操作（Low-VDD）存儲器編譯器。同時，M31再度榮獲2025年臺積公司OIP年度合作伙伴特殊制程IP獎，這是M31連續第八年獲得此殊榮，充分展現其在臺積電OIP生態系中的卓越貢獻與緊密合作關系，再次印證M31在硅智財創新領域的領導地位。

基于臺積公司N6e先進制程開發的這系列存儲器編譯器，專為AI邊緣運算與物聯網（IoT）裝置打造，進行極致低功耗優化設計，并提供采用LL、ULL與ELL SRAM bit cells的定制化解決方案，協助智慧家庭、穿戴式裝置等應用在性能與功耗之間取得最佳平衡。其中，N6e制程ULL存儲器編譯器具備高密度、高性能的SRAM與One Port Register File，并支持冗余（Redundancy）、電源閘控（Power Gating）、掃描測試（Scan）、內建自我測試（BIST）MUX以及寬頻范圍Dual-rail，能夠實現動態電壓與頻率調整（DVFS），并采用High Sigma設計方法，確保在嚴苛邊界條件下依然穩健運行。ELL存儲器編譯器則進一步提升功耗效率，在深度睡眠模式（Deep Sleep Mode）下可降低高達50%功耗，滿足對能效與芯片面積要求嚴苛的設計需求，同時兼顧速度與靈活性。此外，低電壓（Low-VDD）存儲器編譯器可在僅0.5V的操作電壓下運行，大幅降低動態與漏電功耗。通過ULL、ELL與Low-VDD三大產品組合，M31為N6e?平臺提供完整且高度靈活的設計支持。

M31總經理張原熏表示：“M31與臺積公司長期以來的合作關系，是我們持續創新的重要基石。從N12e低功耗解決方案到最新的N6e ULL、ELL及Low-VDD存儲器編譯器，我們不斷推出領先業界的IP，協助AIoT與邊緣應用加速芯片設計的成功落地。展望未來，我們期待與臺積公司及OIP生態系伙伴深化合作，共同推動AI驅動技術的持續發展。”