世界領先的集成電路代工廠中芯國際采用 SUNFUN 嵌入式 NROM 技術和設計生產先進工

藝 8GB 閃存

以色列那塔亞11月23日電 /新華美通/ -- 中芯國際集成電路制造有限公司（紐約證

券交易所： SMI，香港聯合交易所：0981）世界領先的集成電路代工廠之一和 SAIFUN 半

導體，著名的非揮發性內存 (NVM) 技術提供商，今日共同宣布將采用中芯先進工藝技術

合作生產 8GB 數據閃存。這一基于 SUNFUN 嵌入式 NROM 技術和設計而成的獨特產品，

將有望于2008年進入市場。

(Logo: http://www.myhmgs.com/sa/200611101605.jpg )

SAIFUN 嵌入式 NROM 每基本存儲單元四位元技術突破現有的非揮發性內存技術，比

常規存儲器容量增加一倍，結構卻更為簡單，從而需要更少的制造步驟，降低了生產成

本。采用中芯先進工藝的 8GB 數據閃存的發展體現了嵌入式 NROM 的優勢，使最具成本

效益的閃存制造得以實現。它將使中芯憑借非常可靠和高性能的產品進入極具挑戰的閃存

市場。

中芯旨在提供一個全面閃存產品，從而進軍中國乃至全球新興電子消費市場。其現已

基于 SAIFUN 嵌入式 NROM 每基本存儲單元二位元技術產出第一批 2GB NAND 閃存產品的

工程樣本，計劃于2006年底開始量產。

“我們很高興能進一步與中芯國際合作，使先進的閃存產品推向市場”，SAIFUN

半導體公司董事長兼首席執行官 Kobi Rozengarten 先生表示，“我們相信，中芯的創新

與努力，結合 SAIFUN 的獨特 NROM 技術，將使兩家公司成為利潤可觀的數據市場的佼佼

者。”

“我們很高興能與 SAIFUN 進一步拓展我們的伙伴關系，進入更先進的閃存技術。這

再次證明了我們提升閃存產品的共同承諾，”中芯國際總裁兼首席執行官張汝京博士表

示，“我們相信，憑借 SAIFUN 的前沿技術開發和中芯可靠先進的制造能力，將進一步加

強我們在閃存市場的地位。”

中芯國際簡介

中芯國際（紐約證券交易所：SMI，香港聯合交易所：0981）總部位于上海,是世界領

先的集成電路芯片代工公司之一，也是中國內地較大及先進的芯片代工公司。向全世界

客戶提供0.35微米到90納米及更先進工藝的芯片制造服務。公司在上海營運三座8英寸芯

片廠，在天津營運一座8英寸芯片廠，并在北京營運一座12英寸芯片廠，此為中國內地第

一座正式營運之12英寸芯片廠。此外，中芯國際還在美國、意大利、日本提供客戶服務和

設立銷售辦事處，同時在香港設立了代表處。敬請訪問公司網站：

http://www.smics.com 。

SAIFUN 簡介

SAIFUN 是一家為非揮發性內存技術 (NVM) 市場提供智能產權 (IP) 解決方案的供貨

商。該公司獨創的 Saifun NROM(R) 技術 支持半導體制造者付運其具有高性能和可靠的

產品而每百萬單位只需相對較低的成本，隨著更大的產能儲備，為所有非揮發性內存技

術 (NVM) 的應用而使用單一流程。SAIFUN 向半導體制造者授權其智能產權 (IP) 使用這

一技術來發展并制造各類獨一的內植非揮發性內存技術 (NVM) 產品。其中包括通訊、消

費電子、網絡和汽車類產品中使用的閃存。擁有 SAIFUN 特許的廠商包括英飛凌、

Macronix、索尼公司、Spansion 和 Tower 半導體。

就1995年私人有價證券訴訟改革法案作出的“安全港”提示聲明

本新聞發報之內容，如有關 SMIC 與 Saifun 進一步的合作等內容，可能載有前瞻性

陳述之字眼。（除歷史資料外）或含有依據 U.S. Securities Act 1933（已修訂）第

27A 條文及 U.S. Securities Exchange Act 1934（已修訂）第 21E 條文所界定的“前

瞻性陳述”。該等前瞻性陳述存在重大已知及未知風險、不確定性，以及其它可能導致中

心實際業績、財政狀況或經營結果與前瞻性陳述所載資料存在重大差異的因素。有關該等

風險、不確定性，以及其它因素之進一步資料已包括在中芯于二零零五年六月二十八日提

交與美國證券交易所之 20-F 年報及其它中芯需不時提交與美國證券交易所或香港聯合交

易所有限公司之文件內。