北京2020年2月13日 /美通社/ -- 近日，英特爾非易失性存儲方案事業(yè)部宣布基于中國大連制造的QLC NAND裸片所生產(chǎn)的英特爾^® QLC 3D NAND固態(tài)盤（SSD）已達1000萬個。此項生產(chǎn)始于2018年底，這一新的里程碑也確立了QLC技術(shù)成為主流大容量硬盤技術(shù)的重要地位。

2019年4月，英特爾推出了傲騰H10混合式固態(tài)盤。這款產(chǎn)品將英特爾傲騰技術(shù)的卓越響應速度和英特爾QLC 3D NAND技術(shù)的強大存儲容量融為一體，采用M.2規(guī)格。

英特爾客戶端SSD戰(zhàn)略規(guī)劃與產(chǎn)品營銷總監(jiān)Dave Lundell表示：“很多公司都談?wù)撨^QLC技術(shù)，但只有英特爾真正意義上實現(xiàn)了QLC技術(shù)的大規(guī)模交付。我們一方面看到整個市場對英特爾低成本高收益的容量型QLC SSD (英特爾^® SSD 660p)有著巨大需求，同時也看到大家對英特爾^®傲騰?技術(shù)+QLC解決方案傲騰H10混合式固態(tài)盤在高性能方面的表現(xiàn)充滿期待。”

關(guān)于這一里程碑的一些簡要情況：

• 英特爾QLC 3D NAND主要應用于英特爾SSD 660p、英特爾^® SSD 665p 和傲騰H10混合式固態(tài)盤存儲解決方案。
• 英特爾QLC驅(qū)動器采用每單元4比特設(shè)計，并以64層和96層NAND配置存儲數(shù)據(jù)。
• 英特爾在過去十年中一直致力于該技術(shù)的研發(fā)。2016年，英特爾工程師將已被充分驗證的浮柵（FG）技術(shù)調(diào)整為垂直方向，并將其集成在環(huán)柵結(jié)構(gòu)中，進而獲得每裸片存儲384 Gb數(shù)據(jù)的3D TLC技術(shù)。2018年，具備64層，每單元4比特，可儲存1,024 Gb/裸片的3D QLC閃存問世。2019年，英特爾升級到96層，進一步提升了整體存儲密度。
• QLC目前是英特爾整體存儲產(chǎn)品組合的一部分，這一組合包括客戶端和數(shù)據(jù)中心相關(guān)產(chǎn)品。