三星宣布開發新一代“8納米射頻（RF）工藝技術”，強化5G通信芯片的解決方案。

這種先進的制造技術支持5G通信的多通道和多天線芯片設計，有望為5G通信提供“單芯片的解決方案（One Chip Solution）”。三星的8nm RF平臺擴展計劃，能夠增強從Sub-6GHz到毫米波（mmWave）應用的5G半導體代工市場的主導地位。

三星8nm RF是從已有28nm，14nm RF代工解決方案拓展的新一代工藝技術。自2017年至今，三星以高端智能手機為主，已生產了超過5億顆的RF 芯片，在RF芯片代工市場建立了主導地位。

RF芯片把接受的射頻信號轉換數字信號用于數字處理，把處理后的數字信號轉換為射頻信號用于發射。RF工藝技術中，模擬/RF器件性能和數字器件性能都非常重要。

隨著半導體工藝節點的縮微，數字電路在性能,功耗和面積上都有顯著改善，然而模擬/RF 模塊由于寄生特性難以縮微。由于線寬較窄，導致電阻增加，RF信號放大性能減弱，功耗增加，RF芯片整體性能下降。

為了克服模擬/RF電路在工藝縮微時的技術挑戰，三星開發了一種名為“RFeFET（RF extremeFET）”的獨特RF器件結構，新的結構只在8nm RF平臺上提供，新的RF器件使用小的功率就能提升RF性能。與此前的14nm工藝相比，三星“RFeFET（RF extremeFET）”可以幫忙數字電路的縮微，同時提升模擬/RF性能，提供高性能的5G技術平臺。

工藝優化包括電子遷移率增大化和寄生特性最小化。由于RFeFET的性能的提升，射頻芯片中晶體管的總數可以減少，模擬電路的面積可以減少。

由于三星“RFeFET（RF extremeFET）”的創新，與此前的14nm工藝相比，三星的8nm RF工藝可減少約35%的射頻芯片面積，且能效也有約35%的提升。（美通社,2021年6月9日首爾）