中國化合物半導體全產業鏈制造平臺 --  三安集成于日前宣布，已經完成碳化硅MOSFET器件量產平臺的打造。首發1200V 80mΩ產品已完成研發并通過一系列產品性能和可靠性測試，其可廣泛適用于光伏逆變器、開關電源、脈沖電源、高壓DC/DC、新能源充電和電機驅動等應用領域，有助于減小系統體積，降低系統功耗，提升電源系統功率密度。目前多家客戶處于樣品測試階段。 

本次推出的1200V 80mΩ 碳化硅MOSFET，與傳統的硅基IGBT功率器件相比，寬禁帶碳化硅材料擁有“更高、更快、更強”的特性 --  更高的耐壓和耐熱、更快的開關頻率，更低的開關損耗。優異的高溫和高壓特性使得碳化硅MOSFET在大功率應用中表現出色，尤其是高壓應用中，在相同的功率下，碳化硅MOSFET自身器件損耗小，極大減小了器件的散熱需求，使系統朝著小型化，輕量化，集成化的方向發展。這對“寸土寸金”的電源系統來說至關重要，比如新能源車載充電器OBC、服務器電源等。 

從碳化硅肖特基二極管到MOSFET，三安集成在3年時間內便完成了碳化硅器件產品線布局。在保證器件性能的前提下，提供高質量高可靠性的碳化硅產品。首款工業級碳化硅MOSFET采用平面型設計，具備優異的體二極管能力，高溫直流特性，以及優良的閾值電壓穩定性。 

目前行業內碳化硅MOSFET缺貨聲音不斷，三安集成加速碳化硅器件產能擴張。今年7月在長沙高新區開工建設的湖南三安碳化硅全產業鏈園區，計劃總投資160億元，占地1000畝。目前項目一期工程建筑主體已拔地而起，計劃將于2021年6月開始試產。不到1年的時間，在茅草荒地上建立一個全面涵蓋碳化硅晶體生長、襯底、外延、晶圓制造和封裝測試的全產業鏈現代化制造基地，用“三安速度”表明其在第三代半導體產業投入的決心。

（美通社,2020年12月3日廈門）