新思科技（Synopsys, Inc., 納斯達(dá)克股票代碼：SNPS）近日宣布發(fā)布3納米（nm）全環(huán)柵（GAA）AMS設(shè)計(jì)參考流程，為開發(fā)者提供一整套從前端到后端的設(shè)計(jì)方法，以使用新思科技定制設(shè)計(jì)平臺(tái)來設(shè)計(jì)模擬和混合信號(hào)電路。該方法已經(jīng)過優(yōu)化，可以為使用三星3nm GAA節(jié)點(diǎn)工藝技術(shù)的5G、HPC、AI和IoT等先進(jìn)應(yīng)用開發(fā)者，提供最高的設(shè)計(jì)效率。

先進(jìn)節(jié)點(diǎn)的復(fù)雜性驅(qū)使開發(fā)者尋找縮短設(shè)計(jì)周期的新方法。通過緊密合作，新思科技和三星提供了經(jīng)過優(yōu)化的流程，可克服設(shè)計(jì)復(fù)雜性并為3nm GAA設(shè)計(jì)提供最佳的生產(chǎn)率。該流程的主要功能包括設(shè)計(jì)中的電遷移分析，可通過版圖完成之前提供準(zhǔn)確的電遷移分析來縮短設(shè)計(jì)完成時(shí)間。它還包括新思科技IC Validator物理驗(yàn)證解決方案中的實(shí)時(shí)設(shè)計(jì)規(guī)則檢查（DRC），使版圖工程師可以在工作時(shí)直接從版圖畫布中快速檢查是否違反設(shè)計(jì)規(guī)則。

AMS參考流程為3nm GAA流程技術(shù)的設(shè)計(jì)提供一種行之有效的方法。該方法已得到三星的驗(yàn)證，包括一整套文件化的流程和設(shè)計(jì)實(shí)例。涵蓋的主題包括設(shè)計(jì)輸入、電路仿真、蒙特卡洛分析、噪聲分析、RF分析、老化和EM/IR分析、寄生參數(shù)仿真、定制版圖和簽核。

新思科技定制設(shè)計(jì)平臺(tái)以Custom Compiler?設(shè)計(jì)和版圖環(huán)境為基礎(chǔ)，包括HSPICE®電路仿真器、FineSim®電路仿真器、CustomSim? FastSPICE電路仿真器、Custom WaveView?波形顯示器、StarRC?寄生參數(shù)提取以及IC Validator物理驗(yàn)證。該平臺(tái)具有原生集成的StarRC提取功能，可提供寄生參數(shù)對(duì)電路行為、性能影響的早期反饋，并具有開創(chuàng)性的視覺輔助版圖自動(dòng)化功能，從而簡(jiǎn)化先進(jìn)節(jié)點(diǎn)版圖的創(chuàng)建。

（美通社,2020年11月25日加利福尼亞州山景城）